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MOSFET和雙極性晶體管不同,MOSFET在沒有切換(切換導(dǎo)通或是切換關(guān)斷)時,不需要固定的功率輸入。MOSFET的隔離閘極會形成電容器(閘極電容),在每一次切換導(dǎo)通或關(guān)閉時,會需要充電或放電。晶體管的基極至少需要特定的電壓才能導(dǎo)通,同様?shù)模l極電容需要一定的電壓才能充電,讓晶體導(dǎo)通。同樣的,若要關(guān)斷晶體,也需要釋放電容器上的電荷,因此閘極電容也需要放電。
在功率晶體導(dǎo)通或是關(guān)斷,不會立刻就切換到完全導(dǎo)通或是完全不導(dǎo)通的狀態(tài),切換過程中可能會有短暫時間通過大電流,且功率晶體上有較大的電壓。因此在切換時會使晶體發(fā)熱,若控制不當(dāng),甚至?xí)茐墓β示w。因此有需要使切換時間越短越好,以降低其切換損失。一般的切換時間約在微秒等級。晶體的切換時間和驅(qū)動閘極需要的電流成反比。因此切換電流一般會要求在數(shù)百mA的等級,甚至?xí)綌?shù)安培的大小,因為一般的閘極電壓會在10-15V之間,切換時會需要消耗數(shù)瓦特的功率。假如需要高速的切換大電流,例如直流-直流轉(zhuǎn)換器或是大型的電動機,會將數(shù)個功率晶體并聯(lián),以提供夠大的切換電流及功換功率。
功率晶體的切換信號一般是由邏輯電路或是單片機提供,其輸出信號的電流一般會限制在數(shù)毫安。若功率晶體直接以此信號驅(qū)動,其切換速度會非常的慢,而且產(chǎn)生的切換損失很大。在切換時,閘極電容會快速的抽電流,可能會從邏輯電路或是單片機抽取過多的電流,造成元件的永久損壞。為了避免此一情形,會在邏輯電路及單片機輸出電路和功率晶體之間加上閘級驅(qū)動器。
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